en memory rank er et sæt DRAM-chips, der er forbundet til den samme chip select, som derfor åbnes samtidigt. I praksis deler alle DRAM-chips alle de andre kommando-og styresignaler, og kun chip select-pins for hver rang er separate (datapins deles på tværs af rækker).
udtrykket rang blev oprettet og defineret af JEDEC, memory industry standards group. På et DDR -, DDR2-eller DDR3-hukommelsesmodul har hver rang en 64-bit bred databus (72 bit bred på DIMM ‘ er, der understøtter ECC). Antallet af fysiske DRAMs afhænger af deres individuelle bredder. For eksempel ville en rang på 8 (8-bit bred) DRAMs bestå af otte fysiske chips (ni hvis ECC understøttes), men en rang på 4 (4-bit bred) DRAMs ville bestå af 16 fysiske chips (18, hvis ECC understøttes). Flere rækker kan eksistere sammen på en enkelt DIMM, og moderne DIMM ‘ er kan bestå af en rang (enkelt rang), to rækker (Dobbelt rang), fire rækker (firerang) eller otte rækker (oktal rang).
der er kun en lille forskel mellem en dual rank UDIMM og to single-rank UDIMM ‘er i samme hukommelseskanal, bortset fra at Dram’ erne ligger på forskellige PCB ‘ er. De elektriske forbindelser mellem hukommelsescontrolleren og DRAMs er næsten identiske (med den mulige undtagelse af hvilken chip vælger gå til hvilke rækker). DIMM er primært beregnet til at øge hukommelsestætheden pr. For mange rækker i kanalen kan forårsage overdreven belastning og reducere kanalens hastighed. Også nogle hukommelsescontrollere har et maksimalt understøttet antal rækker. DRAM belastning på kommando / adresse (CA) bus kan reduceres ved hjælp af registreret hukommelse.
