een memory rank is een set DRAM-chips die verbonden zijn met dezelfde chip select en die daarom gelijktijdig worden benaderd. In de praktijk alle DRAM-chips delen alle andere commando-en besturingssignalen, en alleen de chip select-pinnen voor elke rang zijn gescheiden (de data-pinnen worden gedeeld over rangen).
de term rank werd gecreëerd en gedefinieerd door JEDEC, de geheugen industrie standards group. Op een DDR -, DDR2-of DDR3-geheugenmodule heeft elke rang een 64-bit-brede databus (72 bits breed op DIMM ‘ s die ECC ondersteunen). Het aantal fysieke Dram ‘ s hangt af van hun individuele breedtes. Bijvoorbeeld, een rang van ×8 (8-bit breed) Dram ’s zou bestaan uit acht fysieke chips (negen indien ECC wordt ondersteund), maar een rang van ×4 (4-bit breed) Dram’ s zou bestaan uit 16 fysieke chips (18 indien ECC wordt ondersteund). Meerdere rangen kunnen naast elkaar bestaan op een enkele DIMM, en moderne DIMM ‘ s kunnen bestaan uit een rang (enkele rang), twee rangen (dubbele rang), vier rangen (quad rang), of acht rangen (octale rang).
er is slechts een klein verschil tussen een UDIMM met dubbele rang en twee UDIMM ’s met enkelvoudige rang in hetzelfde Geheugenkanaal, behalve dat de Dram’ s zich op verschillende PCB ‘ s bevinden. De elektrische verbindingen tussen de geheugencontroller en de Dram ‘ s zijn vrijwel identiek (met de mogelijke uitzondering van welke chip selecteert gaan naar welke rangen). Het verhogen van het aantal rangen per DIMM is vooral bedoeld om de geheugendichtheid per kanaal te verhogen. Te veel gelederen in het kanaal kan leiden tot overmatige belasting en de snelheid van het kanaal te verlagen. Ook hebben sommige geheugencontrollers een maximaal ondersteund aantal rangen. DRAM belasting op de command / address (CA) bus kan worden verminderd door gebruik te maken van geregistreerd geheugen.
